◆最新指标 (2024年一季报)◆ |
每股收益(元) :-0.1000 |
目前流通(万股) :27653.67 |
每股净资产(元) :7.7454 |
总 股 本(万股) :44224.98 |
每股公积金(元) :7.2720 |
营业收入(万元) :10624.22 |
每股未分配利润(元) :-0.3938 |
营收同比(%) :-14.21 |
每股经营现金流(元) :-0.1576i |
净利润(万元) :-4450.46 |
净利率(%) :-45.41 |
净利润同比(%) :-29.50 |
毛利率(%) :12.09 |
净资产收益率(%) :-1.28 |
◆上期主要指标◆ | ◇2023末期◇ |
每股收益(元) :-0.6900 |
扣非每股收益(元) :-0.7387 |
每股净资产(元) :7.9252 |
扣非净利润(万元) :-32669.17 |
每股公积金(元) :7.2664 |
营收同比(%) :-53.70 |
每股未分配利润(元) :-0.2932 |
净利润同比(%) :-265.13 |
每股经营现金流(元) :-0.6823 |
净资产收益率(%) :-8.20 |
毛利率(%) :11.89 |
净利率(%) :-56.64 |
◆ 公司概要 ◆
◆控盘情况◆
2024-03-31 | 2023-12-31 | 2023-09-30 | 2023-06-30 | |
股东人数 (户) | 22510 | 19589 | 23312 | 24827 |
人均持流通股(股) | 12285.1 | 14116.9 | 11773.4 | 11055.0 |
人均持流通股 (去十大流通股东) | 9476.1 | 10798.9 | 9144.3 | 8626.7 |
点评: |
2024年一季报披露,前十大股东持有22266.93万股,较上期减少72.91万股,占总股本比50.34%,主力控盘强度较高。 截止2024年一季报合计22家机构,持有6454.06万股,占流通股比23.34%;其中17家公募基金,合计持有3412.34万股,占流通股比12.34%。 股东户数22510户,上期为19589户,变动幅度为14.9114% |
◆概念题材◆
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【领先的存储芯片设计公司】公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司,产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程,实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛,包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi,5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统,电表集抄器,工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。
更新时间:2024-05-13 08:04:22
更新时间:2024-05-13 08:04:22
【拟增资上海砺算】2024年5月,公司拟通过自有资金或超募资金向上海砺算以增资的方式取得该公司约40%的股权,投资金额预计不超过2亿元。标的公司是一家致力于研发多层次(可扩展)图形渲染的芯片设计企业,标的公司的G100图形渲染芯片产品目前已完成市场规格定义、架构设计、ASIC设计、模级和及芯片级验证、软件仿真、硬件仿真,以及大部分后端设计。目前正在进行接口IP集成以及最终验证。本次投资有利于公司拓展新的应用场景,提升公司的市场空间,增强公司的市场竞争力和可持续发展能力,有助于进一步提高上市公司资产质量,符合公司发展战略,对公司发展具有积极影响。
更新时间:2024-05-13 08:04:15
更新时间:2024-05-13 08:04:15
【拟设立子公司从事Wi-Fi7芯片研发】2024年2月,公司基于战略规划考虑与业务发展需要,拟新增投入研发力量,从事Wi-Fi7无线通信芯片的研发、设计与销售,凭借多年来在行业内的资源、客户、供应链、经验等方面积累的优势,进一步丰富公司产品品类,以存储为核心,向“存、算、联”一体化领域进行技术探索,拓展行业应用领域,优化业务布局,以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。因此,公司拟与自然人荣苏江合资设立“上海一芯通感技术有限公司(具体以市场监督管理部门最终核准的名称为准)”,注册资本为人民币3,000万元,双方股权比例如下:东芯半导体股份有限公司以现金出资人民币2,900万元,占注册资本的96.67%;荣苏江以现金出资人民币100万元,占注册资本的3.33%。上述控股子公司设立后,将根据业务及公司运营的需要,拟分别在广州和北京设立全资子公司和分公司。
更新时间:2024-02-02 08:13:47
更新时间:2024-02-02 08:13:47
【扩大产品线布局】公司的SLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLCNANDFlash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃,部分已经通过AEC-Q100的验证;凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域,通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb,符合-40℃-85℃/105℃的工业标准,并支持多种数据传输模式,已经完成了从65nm至48nm的制程推进。公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列,适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品,可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用,依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求,不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。
更新时间:2023-05-11 10:46:57
更新时间:2023-05-11 10:46:57
【新产品研发】公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm,力积电28nm的制程为主,公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品,不断扩充SLCNANDFlash产品线,报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造,并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发,目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面,公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm,目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证,公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计,助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面,公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试,将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。
更新时间:2023-05-11 10:46:53
更新时间:2023-05-11 10:46:53
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◆董秘爆料◆
最新指标说明
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